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R1LV1616HBG-4SI 瑞萨SRAM 芯片
  • R1LV1616HBG-4SI 瑞萨SRAM 芯片
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产品描述

批号2026
R1LV1616HBG - I系列是16兆位静态随机存取存储器（SRAM），采用1兆字×16位结构，并嵌入了ECC（错误检查与纠正）功能。该系列通过采用CMOS工艺技术（6晶体管存储单元），实现了更高的密度、更高的性能和低功耗。它具有低功耗待机模式，因此适用于电池备份系统。该系列采用48球塑料FBGA封装，适用于高密度表面贴装。

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