FDS6670A

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOIC-8
晶体管性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源击穿电压:	30 V
Id-连续漏电流:	13 A
Rds On-漏源导通电阻:	8 mOhms
Vgs - 栅-源电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源阈值电压:	1 V
Qg-栅电荷:	30 nC
小工作温度:	- 55 C
大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	2.5 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
下降时间:	13 ns
正向跨导 - 小值:	55 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	13 ns
系列:	FDS6670A
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	40 ns
典型接通延迟时间:	11 ns
零件号别名:	FDS6670A_NL
单位重量:	130 mg