FDN335N

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:	详细信息
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SSOT-3
晶体管性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源击穿电压:	20 V
Id-连续漏电流:	1.7 A
Rds On-漏源导通电阻:	55 mOhms
Vgs - 栅-源电压:	- 8 V, 8 V
Vgs th-栅源阈值电压:	400 mV
Qg-栅电荷:	5 nC
小工作温度:	- 55 C
大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	500 mW
通道模式:	Enhancement
商标名:	PowerTrench
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	KR
下降时间:	8.5 ns
正向跨导 - 小值:	7 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	8.5 ns
系列:	FDN335N
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	11 ns
典型接通延迟时间:	5 ns
零件号别名:	FDN335N_NL
单位重量:	30 mg